BUZ31H

BUZ31
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BUZ31参数：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：SIPMOS®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 9A，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1120pF @ 25V
功率 - 最大值：95W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3